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OFET測(cè)試晶片S181 Ossila測(cè)試晶片S182 代理Ossila

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供應(yīng)數(shù)量：	2568
發(fā)布日期：	2025/3/23
有效日期：	2025/9/23
原產(chǎn) 地：
已獲點(diǎn)擊：	2568
產(chǎn)品報(bào)價(jià)：

[詳細(xì)資料]

只用于動(dòng)物實(shí)驗(yàn)研究等

Low density bottom gate bottom contact prefabricated FET substrate Pre-fabricated low-density FET substrate.

OFET測(cè)試晶片S181 Ossila測(cè)試晶片S182 代理Ossila

Schematics

Constant channel length design

OFET測(cè)試晶片S181 Ossila測(cè)試晶片S182 代理Ossila

Low density FET substrate mask dimensions (constant channel length) Constant channel width low-density FET design.

Variable channel length design

Low density OFET substrate mask dimensions (variable channel length) Variable channel width low-density FET design.

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